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一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算，圖文結合+計算公式步驟
- 今天給大家分享的是：IGBT的損耗與結溫計算。與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來(lái)確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下：如何測量功率計算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據電路拓撲和工作條件，兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì )有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導
- 關(guān)鍵字： IGBT 損耗 溫升
安森美第7代IGBT模塊協(xié)助再生能源簡(jiǎn)化設計并降低成本
- 安森美(onsemi) 最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊，與其他同類(lèi)產(chǎn)品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)，帶來(lái)出色的效能表現，有助于降低系統成本并簡(jiǎn)化設計。在用于 150 千瓦的逆變器中時(shí)，QDual3 模塊的損耗比同類(lèi)競品少 200 瓦（W），從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專(zhuān)為在惡劣條件下工作而設計，非常適合用于大功率變流器
- 關(guān)鍵字： 安森美 IGBT 再生能源
一文搞懂IGBT
- 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì )導致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
- 關(guān)鍵字： IGBT 功率半導體
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動(dòng)器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器。 這款創(chuàng )新的驅動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設計用于驅動(dòng)工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關(guān)斷時(shí)序，同時(shí)將開(kāi)關(guān)損耗降至最低。 內部負電荷調節器還能提供用戶(hù)可選的負柵極驅動(dòng)偏置，以實(shí)現更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅動(dòng)器
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Power Integrations推出適用于1.2kV至2.3kV“新型雙通道”IGBT模塊的單板即插即用型門(mén)極驅動(dòng)器
- 深耕于中高壓逆變器應用門(mén)極驅動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門(mén)極驅動(dòng)器，適配單個(gè)LV100（三菱）、XHPTM 2（英飛凌）、HPnC（富士電機）以及耐壓高達2300V的同等半導體功率模塊，該模塊適用于儲能系統以及風(fēng)電和光伏可再生能源應用。該款超緊湊單板驅動(dòng)器可對逆變器模塊進(jìn)行主動(dòng)溫升管理，從而提高系統利用率，并簡(jiǎn)化物料清單(BOM)以提高逆變器系統的可靠性。Power Integrations產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Thors
- 關(guān)鍵字： Power Integrations IGBT 門(mén)極驅動(dòng)器
從零了解汽車(chē)電控IGBT模塊
- 當前的新能源車(chē)的模塊系統由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國內外的模塊廠(chǎng)商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了很多，但是有一個(gè)模塊需要引起行業(yè)內的重視，那就是電機驅動(dòng)部分，則是電機驅動(dòng)部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。想要從零了解汽車(chē)電控IGBT模塊看這一篇就夠了！根據乘聯(lián)會(huì )數據，2022年6月新能源車(chē)國內零售滲透率27.4%，并且2022年6月29日歐盟對外宣布，歐盟27個(gè)成員國已經(jīng)初步達成一致，歐洲
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車(chē)規級IGBT模塊,持續放量
- 3 月 28 日的發(fā)布會(huì )上，小米雷軍對外正式公布了小米 SU7 各版本的售價(jià)。同時(shí)，雷軍宣布特別推出 5000 臺小米 SU7 創(chuàng )始版。創(chuàng )始版除可選標準版及 Max 版基本配置外，還有專(zhuān)屬車(chē)標、配件等權益。由于提前生產(chǎn)，不可選配，故相關(guān)車(chē)型可最先交付，而非創(chuàng )始版的小米 SU7 標準版與 Max 版于 4 月底啟動(dòng)交付，Pro 版在 5 月底啟動(dòng)交付。幾天后的 4 月 3 日，小米汽車(chē)創(chuàng )始版迎來(lái)首批交付。在北京亦莊小米汽車(chē)工廠(chǎng)總裝車(chē)間的交付現場(chǎng)，雷軍親手將車(chē)交給車(chē)主并和車(chē)主合影留念，再揮手目送每位車(chē)主離開(kāi)。
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雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性
- 關(guān)鍵字： 雜散電感 SiC IGBT 開(kāi)關(guān)特性
柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響分析
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來(lái)分析S
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一鍵解鎖熱泵系統解決方案
- 熱泵是一種經(jīng)過(guò)驗證的、提供安全且可持續供暖的技術(shù)，其滿(mǎn)足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時(shí)滿(mǎn)足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實(shí)用的水平，因此在節能方面具有巨大的潛力。系統目標熱泵的原理與制冷類(lèi)似，其大部分技術(shù)基于冰箱的設計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來(lái)完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關(guān)注以及應對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
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意法半導體隔離柵極驅動(dòng)器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應用伴侶
- 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。這些驅動(dòng)器具有集成的高壓半橋、單個(gè)和多個(gè)低壓柵極驅動(dòng)器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅動(dòng)器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅動(dòng)的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無(wú)縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅動(dòng)器對于實(shí)現最佳功率轉換效率非常重要。隨著(zhù)SiC技術(shù)得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時(shí)候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅
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基礎知識之IGBT
- 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫(xiě)，也被稱(chēng)作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類(lèi)為功率半導體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開(kāi)關(guān)。 根據其分別可支持的開(kāi)關(guān)速度，BIPOLAR適用于中速開(kāi)關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件，通過(guò)
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 IGBT
IGBT驅動(dòng)電路介紹
- IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功率級較為耐用），頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示：IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性（開(kāi)關(guān)特性）。動(dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲?。篒GBT的開(kāi)通過(guò)程IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，
- 關(guān)鍵字： IGBT 電路設計 驅動(dòng)電路
IGBT如何進(jìn)行可靠性測試？
- 在當今的半導體市場(chǎng)，公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的，可靠性體現為在產(chǎn)品預期壽命內的長(cháng)期質(zhì)量表現。任何制造商要想維續經(jīng)營(yíng)，必須確保產(chǎn)品達到或超過(guò)基本的質(zhì)量標準和可靠性標準。安森美 (onsemi) 作為一家半導體供應商，為高要求的應用提供能在惡劣環(huán)境下運行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達到了高品質(zhì)和高可靠性。人們認識到，為實(shí)現有保證的質(zhì)量性能，最佳方式是摒棄以前的“通過(guò)測試確保質(zhì)量”方法，轉而擁抱新的“通過(guò)設計確保質(zhì)量”理念。在安森美，我們使用雙重方法來(lái)達到最終的質(zhì)量和可靠性水
- 關(guān)鍵字： IGBT 可靠性 測試
必看！IGBT基礎知識匯總！
- 01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì )導致Vds很大）IGBT綜合了以
- 關(guān)鍵字： IGBT 晶體管 基礎知識
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對 igbt的理解，并與今后在此搜索 igbt的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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